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1990技术科学微电子技术半导体集成电路技术【半导体】见第一卷中的“半导体”。【晶体管】见第一卷中的“晶体管”。【双极（型）晶体管】电子和空穴两种类型载流子对导电都起作用的晶体管。它是电流控制器件。基本结构有PNP、NPN两种类型；由三层半导体构成，中间一层叫基区(B),基区宽度应比少数载流子复合长度还小，另两层叫发射区(E)和集电区(C),各自的引出电极分别叫做基极、发射极、集电极。发射区与基区之间形成发射结，集电区与基区之间形成集电结。在共发射极电路中，当发射结加正向偏压，注入电流Ib,集电结加反向偏压时，则晶体管处于放大状态，集电极可获得很大的输出电流ICO,约为Ieb,3为共发射极电流放大系数，一般在10一200之间，这就是晶体管的放大作用。一般可得到很强的电流、电压及功率放大能力。结型晶体管理论是1949年肖克莱提出的。1951年制成合金结晶体微电子技术1991管，1954年制成第一只硅晶体管，1956年制成扩散型晶体管，1958年制成平面型晶体管，从而为集成电路的出现准备了条件。至今，作为最主要的分立器件，双极晶体管仍广泛应用于各种装置的电子线路中。同时也是构成各种双极型集成电路、高速逻辑电路的基础元件。【场效应晶体管】按半导体场效应原理设计和工作的晶体管，简称FET。它是电压控制器件。由于这种晶体管只有一种极性的（多数)载流子参与导电作用，故又称作单极晶体管。半导体场效应有三类：表面场效应，PN结场效应，肖特基结界面场效应。利用这三种场效应制成的晶体管，分别叫做绝缘栅场效应晶体管（简称IGFET),结栅场效应晶体管(JFET),肖特基势垒栅场效应晶体管(MESFET)。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是IGFET最典型、最重要的特例。三种场效应晶体管都有一个沟道，即空间导电层，都有三个电极，即栅极、源极、漏极，后两电极可以互换。场效应概念是远在1925年由美国J.E.里林菲德首先提出的。1935年O.海尔实验观察到场效应现象。1938年德国W.肖特基等提出金属半导体接触整流理论。1939年肖克莱根据肖特基结理论提出肖特基结场效应晶体管的设想，1952年他又提出结型场效应晶体管的设想。随着表面态理论的发展，直到1958年法国特斯纳(Teszner)才制成第一只结型场效应晶体管，l962年美国霍夫斯坦(Hofstein)和海曼(Hein)第一次制成金属氧化物半导体场效应晶体管，1966年美国C.米德制成肖特基势垒栅场效应晶体管。至此，建立了场效应管这一“家族”。与双极晶体管相比，场效应晶体管的特点是：输入阻抗大，噪声低，功耗小，频率高，抗辐照能力强，工艺简单，电路应用灵活等。因1992技术科学此，它们具有重要的应用价值和发展潜力，特别是MOSFET和MESFET,是构成、发展大规模超大规模集成电路、超高速集成电路以及光电子集成等的基础元件。【平面（型）晶体管】利用二氧化硅膜的掩被、绝缘作用和相应的硅平面工艺制作的晶体管。包括氧化、光刻、扩散等在内，制作硅平面晶体管的整套工艺技术，称作硅平面工艺。采用硅平面技工艺，免去了台面结构，使器件的三个电极都在同一面上，芯片外观呈一平整表面，故名。其优点是：保护PN结不受外界玷污，大大减小漏电流，降低噪声，提高了稳定性可靠性，特别是成为制作集成电路及大规模超大规模集成电路的技术基础。1958年美国斯普赖克电气公司霍尔尼研制成功平面晶体管。同时，美国仙童半导体公司R.N.诺伊斯研制成功第一块单片集成电路。从此，开始了蓬勃发展的微电子技术革命。中国是1963年研制成功硅平面工艺和平面晶体管的。【金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)】以金属氧化物半导体(MOS)电容结构为基础，利用表面场效应工作的晶体管，简称MOSFET。所谓表面场效应，系指在半导体表面上施加垂直于表面的电场，改变外加电场的方向和大小，可以控制表面层中多数载流子的类型及密度，从而控制其沟道导电能力的现象。利用这种表面场效应工作的晶体管，统称为绝缘栅场效应晶体管，简称IGFET或MISFET。若其中绝缘层是氧化物层，便称作金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。1959年提出MOS结构，1962年制成功MOSFET。比起双极晶体管来，它工艺简单，输入阻抗大，功耗很低，芯片面积小，集成密度高，存储单元设计由
